电力变频调速技术催生了大量的新型器件,其中最重要的一种是—智能功率模块(IPM)。智能功率模块的核心是一种高压高频开关器件—IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor).
IGBT是常用的一种功率半导体器件,具有大电流密度、高开关速度、低平均开关功耗、低驱动电压等特点。应用领域涵盖运动控制、电机驱动、太阳能逆变器、工业直流电源、交通信号等电力电子产品中。
IGBT的实质是一种晶体管开关,相对于MOSFET和BJT而言,在低压低频高电平上的性能和工艺是非常复杂的,是Si器件科技综合成果。在整个半导体中,IGBT是同时具有高压耐受性和低导通电压降特性的典型器件之一。